STB80NF55-08AG vs STB80NF55-06T4 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STB80NF55-08AG von STMicroelectronics und STB80NF55-06T4 von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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STB80NF55-06T4 STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter STB80NF55-08AG STB80NF55-06T4
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,81 $1,38
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 80 A (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 6.5 mΩ typ —
Power Dissipation (PD) 300 W (Tc) 300 W
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge value] 80 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance value] 4500 pF (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage value] —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +175°C -55°C to +175°C
Gehäuse D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Grade AEC-Q101 qualified —
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology STripFET —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 320 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.5 mΩ (typ), 8 mΩ (max)
Output Capacitance (Coss) — 700 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 250 pF (typ)
Halogenfrei — Yes

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