STB80NF55-08AG vs STB80NF55-06T4 비교
다음의 상세 나란히 비교: STB80NF55-08AG 제조: STMicroelectronics 및 STB80NF55-06T4 제조: STMicroelectronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
STMicroelectronics
STB80NF55-08AG - 55V 80A Automotive N-Channel MOSFET | STMicroelectronics
STB80NF55-08AG ✓ 활성STMicroelectronics
STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STB80NF55-06T4 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | STB80NF55-08AG | STB80NF55-06T4 |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.81 | $1.38 |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 80 A (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 6.5 mΩ typ | — |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | 300 W |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: gate charge value] | 80 nC (typ) |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance value] | 4500 pF (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage value] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 100% avalanche tested | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| 패키지 | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Grade | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Technology | STripFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 80 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 320 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 6.5 mΩ (typ), 8 mΩ (max) |
| Output Capacitance (Coss) | — | 700 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 250 pF (typ) |
| 할로겐 프리 | — | Yes |