STP20NF20L vs IRF640NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STP20NF20L von STMicroelectronics und IRF640NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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STP20NF20L STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter STP20NF20L IRF640NPBF
Marke STMicroelectronics Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,88
FET Type N-Channel —
Technology STripFET™ (planar silicon gate) HEXFET (5th Generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 18 A (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 0.10 Ω (max) —
Power Dissipation (PD) 110 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge (Qg) Low gate charge (STripFET™ optimized) —
Input Capacitance (Ciss) Minimized by STripFET™ process —
Gehäuse TO-220 (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Montageart Through Hole Through Hole
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Process Technology STripFET™ (low Qg, low Ciss) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Total Gate Charge (Qg) — 44.7 nC
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Transistortyp — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

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