STP20NF20L vs IRF640NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STP20NF20L par STMicroelectronics et IRF640NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

STMicroelectronics
STP20NF20L STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre STP20NF20L IRF640NPBF
Marque STMicroelectronics Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,88
FET Type N-Channel —
Technology STripFET™ (planar silicon gate) HEXFET (5th Generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 18 A (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 0.10 Ω (max) —
Power Dissipation (PD) 110 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge (Qg) Low gate charge (STripFET™ optimized) —
Input Capacitance (Ciss) Minimized by STripFET™ process —
Boîtier TO-220 (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Type de montage Through Hole Through Hole
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Process Technology STripFET™ (low Qg, low Ciss) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Total Gate Charge (Qg) — 44.7 nC
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Fiches techniques et ressources

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