TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GR) Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von TLP182GB-TPL.E(T von Toshiba und TLP183(GR) von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Toshiba
TLP182GB-TPL.E(T - 3750Vrms AC Input Phototransistor Optocoupler | Toshiba
TLP182GB-TPL.E(T ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | TLP182GB-TPL.E(T | TLP183(GR) |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | Toshiba |
| Kategorie | Optocouplers | Optocouplers |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,29 | $0,20 |
| Part Number | TLP182GB-TPL.E(T | — |
| Gehäuse | 4-Lead SO6 (SMD) | SO6 (4-pin surface mount) |
| Isolation Voltage | 3750 Vrms | 3750 Vrms (minimum) |
| Input Type | AC (dual antiparallel LEDs) | — |
| Ausgangstyp | Phototransistor (NPN) | Phototransistor (DC input, transistor output) |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) | 80 V | 80 V minimum |
| Kollektorstrom (Ic) | 50 mA | — |
| Current Transfer Ratio (CTR) | 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V | 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA | — |
| Turn-On Time (ton) | 2 us | — |
| Turn-Off Time (toff) | 3 us | — |
| Betriebstemperaturbereich | -55 degC to +125 degC | — |
| Input Forward Current (IF) | 50 mA max | — |
| Input Reverse Voltage (VR) | 5 V | — |
| Power Dissipation (PC) | 200 mW | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Emitter-Collector Voltage (VECO) | — | 6 V minimum |
| Collector Current | — | 50 mA maximum |
| Forward Current (IF) | — | 50 mA maximum |
| Forward Voltage (VF) | — | [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] |
| Switching Time (tR, tF) | — | 2 us typical |
| Betriebstemperatur | — | -55C to +125C |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| CTR Bin | — | GR |