TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GR) Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLP182GB-TPL.E(T par Toshiba et TLP183(GR) par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLP182GB-TPL.E(T TLP183(GR)
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,29 $0,20
Part Number TLP182GB-TPL.E(T —
Boîtier 4-Lead SO6 (SMD) SO6 (4-pin surface mount)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms (minimum)
Input Type AC (dual antiparallel LEDs) —
Type de sortie Phototransistor (NPN) Phototransistor (DC input, transistor output)
Number of Channels 1 1
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 80 V 80 V minimum
Courant de collecteur (Ic) 50 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Turn-On Time (ton) 2 us —
Turn-Off Time (toff) 3 us —
Plage de température de fonctionnement -55 degC to +125 degC —
Input Forward Current (IF) 50 mA max —
Input Reverse Voltage (VR) 5 V —
Power Dissipation (PC) 200 mW —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 6 V minimum
Collector Current — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA]
Switching Time (tR, tF) — 2 us typical
Température de fonctionnement — -55C to +125C
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
CTR Bin — GR

Fiches techniques et ressources

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