TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GR) Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TLP182GB-TPL.E(T por Toshiba e TLP183(GR) por Toshiba. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TLP182GB-TPL.E(T TLP183(GR)
Marca Toshiba Toshiba
Categoria Optocouplers Optocouplers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,29 $0,20
Part Number TLP182GB-TPL.E(T —
Encapsulamento 4-Lead SO6 (SMD) SO6 (4-pin surface mount)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms (minimum)
Input Type AC (dual antiparallel LEDs) —
Tipo de saída Phototransistor (NPN) Phototransistor (DC input, transistor output)
Number of Channels 1 1
Tensão coletor-emissor (Vceo) 80 V 80 V minimum
Corrente de coletor (Ic) 50 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Turn-On Time (ton) 2 us —
Turn-Off Time (toff) 3 us —
Faixa de temperatura de operação -55 degC to +125 degC —
Input Forward Current (IF) 50 mA max —
Input Reverse Voltage (VR) 5 V —
Power Dissipation (PC) 200 mW —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 6 V minimum
Collector Current — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA]
Switching Time (tR, tF) — 2 us typical
Temperatura de operação — -55C to +125C
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
CTR Bin — GR

Fichas técnicas e recursos

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