W634GU6RB11J vs MT41K256M16TW-107 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB11J von Winbond und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter W634GU6RB11J MT41K256M16TW-107
Marke Winbond Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,50 $14,10
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
Datenrate 1866 MT/s —
Schnittstelle Parallel Parallel
Versorgungsspannung 1.35V 1.35 V
CAS-Latenz 20 ns —
Gehäuse 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
Betriebstemperatur -40°C to +95°C 0C to +95C (commercial :P grade)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Halogenfrei Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Speicherorganisation — 256M x 16
Access Time — 20 ns
Datenbusbreite — 16 bit
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

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