W634GU6RB11J vs MT41K256M16TW-107 对比

详细并排对比 W634GU6RB11J 出自 Winbond 和 MT41K256M16TW-107 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Winbond
W634GU6RB11J W634GU6RB11J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 933MHz | Winbond

W634GU6RB11J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 933MHz | Winbond

W634GU6RB11J ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ 量产中

规格对比

参数 W634GU6RB11J MT41K256M16TW-107
品牌 Winbond Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $9.50 $14.10
存储器类型 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
数据速率 1866 MT/s —
接口 Parallel Parallel
电源电压 1.35V 1.35 V
CAS 延迟 20 ns —
封装 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
工作温度 -40°C to +95°C 0C to +95C (commercial :P grade)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 状态 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
无卤 Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
存储组织 — 256M x 16
Access Time — 20 ns
数据总线宽度 — 16 bit
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
MSL 等级 — [DATA_NEEDED: MSL level]

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