W634GU6RB11J vs MT41K256M16TW-107 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB11J par Winbond et MT41K256M16TW-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre W634GU6RB11J MT41K256M16TW-107
Marque Winbond Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,50 $14,10
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
Débit de données 1866 MT/s —
Interface Parallel Parallel
Tension d'alimentation 1.35V 1.35 V
Latence CAS 20 ns —
Boîtier 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
Température de fonctionnement -40°C to +95°C 0C to +95C (commercial :P grade)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Sans halogène Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Access Time — 20 ns
Largeur du bus de données — 16 bit
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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