10M50DCF256A7G vs 10M50DCF256C8G Comparación

Comparación detallada lado a lado de 10M50DCF256A7G por Intel y 10M50DCF256C8G por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 10M50DCF256A7G 10M50DCF256C8G
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $29,80 $52,85
Family MAX 10 MAX 10
Logic Elements (LE) 50,000 50,000
User Flash Memory 1,677,312 bits 1,677,312 bits
User I/O Count 178 —
Encapsulado 256-ball FBGA (F256), 17 x 17 mm, 1.0 mm pitch 256-pin FBGA (FBGA256), 17x17 mm
Process Node 55 nm —
Core Voltage 1.2 V 1.0 V (internal)
I/O Bank Voltages 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +85 C (industrial) —
Speed Grade 7 (DCF = dual-supply, commercial/industrial) 8
Embedded Memory M9K blocks, 9 Kbits each 1,677,312 bits (user flash) + 5,151 Kbits (M9K RAM)
Embedded Multipliers 144 x 18 x 18 —
PLL 4 —
On-chip ADC 12-bit, 1 MSPS, 16 channels —
Configuration Internal flash (single-chip, instant-on) —
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 3 (168 hours) —
DSP Blocks (18x18 Multipliers) — 172
Maximum User I/O Pins — 178
Temperature Grade — Commercial (C suffix)
PLLs — 4
Hard ADC Blocks — 2 (12-bit, 1 MSPS)
Process Technology — TSMC 55 nm embedded flash CMOS
I/O Bank Voltage — 2.5 V / 3.3 V (LVCMOS compatible)
Configuration Method — On-die non-volatile flash (instant-on); dual-boot supported

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