1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED3122MC12HXUMA1 por Infineon y 1ED020I12B2XUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED3122MC12HXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $2,65
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms 4500 Vrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns 35 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) Yes (integrated 2 A clamp FET)
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Encapsulado PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Compliance — RoHS compliant

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