1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3122MC12HXUMA1 par Infineon et 1ED020I12B2XUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED3122MC12HXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $2,65
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms 4500 Vrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns 35 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) Yes (integrated 2 A clamp FET)
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Boîtier PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Compliance — RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

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