1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3122MC12HXUMA1 por Infineon e 1ED020I12B2XUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3122MC12HXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $2,65
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms 4500 Vrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns 35 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) Yes (integrated 2 A clamp FET)
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
Temperatura de operação -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Encapsulamento PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 2 MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
Compliance — RoHS compliant

Fichas técnicas e recursos

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