1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7512GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7116GXTMA1 por Infineon y 1EDN7512GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7116GXTMA1 1EDN7512GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,84 $0,82
Función Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver, single channel
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 4 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 8 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) [DATA_NEEDED: UVLO threshold]
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
Encapsulado PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Número de salidas — 1
Logic Inputs — Inverting and Non-Inverting
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Rango de tensión de entrada — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Robustness (negative) — -10 V
Tiempo de subida — [DATA_NEEDED: typical tr]
Tiempo de bajada — [DATA_NEEDED: typical tf]
Lead-Free — Yes

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