1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7136UXTSA1 por Infineon y 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7136UXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,29
Función High-side / Low-side gate driver IC Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Número de salidas 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 1.5 A
Peak Sink Current 2 A 1.5 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C -40C to +125C
Encapsulado TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes (per Infineon product family convention) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

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