1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7136UXTSA1 por Infineon e 1EDN7126GXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7136UXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,29
Função High-side / Low-side gate driver IC Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Número de saídas 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 1.5 A
Peak Sink Current 2 A 1.5 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C -40C to +125C
Encapsulamento TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes (per Infineon product family convention) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Reach — Compliant
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fichas técnicas e recursos

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