1EDN8511BXUSA1 vs 1EDB8275FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN8511BXUSA1 por Infineon y 1EDB8275FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN8511BXUSA1 1EDB8275FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $1,72
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-SOT23-6-2 PG-DSO-8 (150 mil wide-body)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Función — Single-channel isolated gate driver
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) — 3000 Vrms
Peak Source Current (typ.) — 5.4 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.8 A
CMTI (min.) — 300 V/ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Output-side Supply Voltage — Up to 40 V (per datasheet family)
Input-side Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC input range]
UVLO — Yes (input and output side)
Miller Clamp — Available in family
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C (industrial)

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