1EDN8511BXUSA1 vs 1EDB8275FXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN8511BXUSA1 メーカー: Infineon および 1EDB8275FXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 ✓ 生産中
Infineon
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 - 5.4/9.8A Isolated Gate Driver | Infineon

1EDB8275FXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN8511BXUSA1 1EDB8275FXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $1.72
Channel Count 1 —
Driver Configuration Low-side —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Input Stage Inverting and non-inverting —
Propagation Delay Accuracy [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
UVLO Threshold 8 V —
Driver Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range upper limit] —
動作接合温度 -40 °C to +150 °C —
パッケージ PG-SOT23-6-2 PG-DSO-8 (150 mil wide-body)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 6 —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Target Switch Type Power MOSFET, GaN HEMT —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
機能 — Single-channel isolated gate driver
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) — 3000 Vrms
Peak Source Current (typ.) — 5.4 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.8 A
CMTI (min.) — 300 V/ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Output-side Supply Voltage — Up to 40 V (per datasheet family)
Input-side Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC input range]
UVLO — Yes (input and output side)
Miller Clamp — Available in family
動作温度範囲 — -40 C to +125 C (industrial)

データシート&リソース

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