2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2106S06FXUMA1 por Infineon y 2ED21064S06JXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2106S06FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,85
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL 3.3 V / 5 V CMOS
Propagation Delay (typ.) 100 ns —
Número de salidas 2 (1 high-side, 1 low-side) —
Number of Drivers 2 —
Número de pines 8 —
Encapsulado PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Tipo de salida Half-Bridge, Non-Inverting —
Función — High-Side and Low-Side Gate Driver
Topología — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS — ROHS3 Compliant
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

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