2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8033G4BXTMA1 por Infineon y 2EDL6014ACG2DXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2EDL8033G4BXTMA1 2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL8033G4BXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,49 $1,18
Topología Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 2 (high-side + low-side)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) Isolated (level-shifted floating high-side)
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Encapsulado PG-VDSON-8-5 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Configuración de salida — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

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