2EDL8123GXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8123GXUMA1 por Infineon y 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8123GXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,89
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 —
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated —
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Número de pines — 14
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

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