2EDL8123GXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8123GXUMA1 par Infineon et 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8123GXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,89
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 —
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated —
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Nombre de broches — 14
Plage de température de fonctionnement — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis