2EDN7533RXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDN7533RXTMA1 por Infineon y 2EDN7534RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDN7533RXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,40
Función Dual-channel low-side gate driver Low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V -12 V to +22 V (absolute max)
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-TSSOP-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Configuración de salida — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

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