2EDN7533RXTMA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2EDN7533RXTMA1 от Infineon и 2EDN7534RXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2EDN7533RXTMA1 2EDN7534RXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,55 $0,40
Функция Dual-channel low-side gate driver Low-side gate driver
Number of Channels 2 2
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL LV-TTL
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V -12 V to +22 V (absolute max)
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Рабочая температура перехода -40 C to +150 C —
Корпус PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-TSSOP-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Выходная конфигурация — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Рабочая температура — -40C to +125C
Уровень MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену