2N7002H6327XTSA2 vs BSS306NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon y BSS306NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2N7002H6327XTSA2 BSS306NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,08 $0,14
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (Automotive)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C (TJ)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

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