2N7002H6327XTSA2 vs BSS306NH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2N7002H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS306NH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 2N7002H6327XTSA2 BSS306NH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.08 $0.14
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
동작 온도 범위 -55C to +150C (Tj) —
패키지 PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (Automotive)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
동작 온도 — -55°C to +150°C (TJ)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

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