2N7002H6327XTSA2 vs BSS306NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2N7002H6327XTSA2 von Infineon und BSS306NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2N7002H6327XTSA2 BSS306NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,08 $0,14
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Montageart Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (Automotive)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Betriebstemperatur — -55°C to +150°C (TJ)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

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