AS4C512M16D4A-62BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory y MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ ActivoMicron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4A-62BIN | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps per pin | 2666 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Interfaz | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 22 cycles) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |