AS4C512M16D4A-62BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BIN par Alliance Memory et MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4A-62BIN MT40A512M16JY-07EAIT:B
Marque Alliance Memory Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $8,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Clock Rate 1600 MHz —
Débit de données 3200 Mbps per pin 2666 MT/s
Tension d'alimentation 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
Température de fonctionnement -40°C to +95°C —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (8x14)
Interface POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Latence CAS Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Type de montage Surface Mount —
Lead Free Yes —
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Plage de température de fonctionnement — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

Fiches techniques et ressources

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