AS4C512M16D4A-62BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 비교
다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4A-62BIN 제조: Alliance Memory 및 MT40A512M16JY-07EAIT:B 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 활성Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | AS4C512M16D4A-62BIN | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| 브랜드 | Alliance Memory | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Rate | 1600 MHz | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps per pin | 2666 MT/s |
| 공급 전압 | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13mm) | 96-FBGA (8x14) |
| 인터페이스 | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 22 cycles) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |