BC817-40-RF vs BC817-40 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BC817-40-RF por Taiwan Semiconductor y BC817-40 por Nexperia. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BC817-40-RF | BC817-40 |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | Nexperia |
| Categoría | Transistors | Transistors |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,03 | $0,02 |
| Tipo de transistor | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Encapsulado | SOT-23 (TO-236), 3 pins | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins |
| Tensión colector-emisor (Vceo) | 45 V | 45 V |
| Tensión colector-base (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| Tensión emisor-base (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 0.5 A | 500 mA |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| DC Current Gain (hFE) Bin | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) | — |
| Frecuencia de transición (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 310 mW | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 C to +150 C | -65 C to +150 C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Estado RoHS | Compliant (per manufacturer product page) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) | — |
| PNP Complement | BC807 series | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 310 mW |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | — | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | — | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | — | [DATA_NEEDED: VBE typical] |
| Complementary PNP Part | — | BC807-40 |