BC817-40-RF vs BC817-40 比較

詳細な並列比較: BC817-40-RF メーカー: Taiwan Semiconductor および BC817-40 メーカー: Nexperia。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BC817-40-RF BC817-40
ブランド Taiwan Semiconductor Nexperia
カテゴリ Transistors Transistors
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.03 $0.02
トランジスタタイプ NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
パッケージ SOT-23 (TO-236), 3 pins SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
コレクタ-エミッタ間電圧(Vceo) 45 V 45 V
コレクタ-ベース間電圧(Vcbo) 50 V 50 V
エミッタ-ベース間電圧(Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 0.5 A 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] [DATA_NEEDED: ICM value]
DC Current Gain (hFE) Bin 250 to 600 (BC817-40 gain bin) —
遷移周波数(ft) 100 MHz 100 MHz
Power Dissipation (Pd) 310 mW —
動作接合温度 -55 C to +150 C -65 C to +150 C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1
RoHS ステータス Compliant (per manufacturer product page) Compliant
Lead-Free Yes (per Taiwan Semiconductor product page) —
PNP Complement BC807 series —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Complementary PNP Part — BC807-40

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