BSC011N03LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC011N03LSATMA1 por Infineon y ISC011N03L5SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Activo
Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC011N03LSATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $0,47
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (TJ)
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET
Gate Drive — Logic-level compatible

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización