BSC011N03LSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC011N03LSATMA1 por Infineon e ISC011N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC011N03LSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,54 | $0,47 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 30V | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 37 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 100 A (TC) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.1 mOhm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Temperatura de operação | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |