BSC014N04LSATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon y BSC035N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC035N04LSGATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSC014N04LSATMA1 | BSC035N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,74 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +175C | — |
| Encapsulado | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | — | 69 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |