BSC014N04LSTATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC014N04LSTATMA1 por Infineon y BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSC014N04LSTATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,41 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC014N04LSTATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-Channel Trench) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V | 1.45 mΩ | — |
| R DS(on) typical @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 115 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55°C to +150°C | -55C to +175C |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 8 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | MSL1 | 1 (unlimited) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |