BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon y BSC014N04LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC022N04LS6ATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 79 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Recuento de pines 8 —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) —
Estado RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tradename — OptiMOS

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