BSC027N06LS5ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC027N06LS5ATMA1 por Infineon y IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC027N06LS5ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 OptiMOS
Part Status Active —
FET Type N-Channel Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
Encapsulado — PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
Nivel MSL — MSL1 (peak reflow 260 C)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

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