BSC027N06LS5ATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N06LS5ATMA1 par Infineon et IPG20N06S2L65AATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IPG20N06S2L65AATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 - 55V Dual N-Ch OptiMOS 20A | Infineon

IPG20N06S2L65AATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC027N06LS5ATMA1 IPG20N06S2L65AATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 OptiMOS
Part Status Active —
FET Type N-Channel Dual N-Channel (Half Bridge / Independent)
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Power Dissipation (PD) — 43 W
Gate Threshold (VGS(th)) — Logic-Level
Boîtier — PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank)
Température de fonctionnement — -55 C to +175 C
AEC-Q101 Qualification — Yes
Niveau MSL — MSL1 (peak reflow 260 C)
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
AOI Compatible — Yes (wettable flank)

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