BSC030N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC030N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC027N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSC030N08NS5ATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,55 | $0,54 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Type | N-Channel Power MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | 161 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 3.0 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=7 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 139 W | — |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55C to +150C | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | — |
| Gate Drive Logic | Standard 10V, compatible with 12V drive | — |
| Optimized Application | Synchronous Rectification | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | — | 83 W |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55°C to +150°C |