BSC030N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC030N08NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC027N04LSGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC030N08NS5ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.55 $0.54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type N-Channel Power MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 161 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=10 V 3.0 mOhm —
RDS(on) max at VGS=7 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] —
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) 2.5 W —
Power Dissipation (TC=25C) 139 W —
Operating Temperature Range (TJ) -55C to +150C —
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes Yes
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic Standard 10V, compatible with 12V drive —
Optimized Application Synchronous Rectification —
Product Family — OptiMOS 3
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
전력 손실 (TC=25°C) — 83 W
동작 온도 범위 — -55°C to +150°C

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