BSC030N08NS5ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC030N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC027N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC030N08NS5ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type N-Channel Power MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 3 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 161 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=10 V 3.0 mOhm —
RDS(on) max at VGS=7 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] —
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) 2.5 W —
Power Dissipation (TC=25C) 139 W —
Operating Temperature Range (TJ) -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes Yes
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic Standard 10V, compatible with 12V drive —
Optimized Application Synchronous Rectification —
Product Family — OptiMOS 3
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 83 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis