BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC035N04LSGATMA1 por Infineon y BSC0911NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC035N04LSGATMA1 BSC0911NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 25V
Configuration — Dual N-Channel (2 N-CH)
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Technology — OptiMOS trench MOSFET
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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