BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0911NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC035N04LSGATMA1 por Infineon e BSC0911NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC035N04LSGATMA1 | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,48 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55°C to +150°C | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (2 N-CH) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| Temperatura de operação | — | -55C to +150C (junction) |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Technology | — | OptiMOS trench MOSFET |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |