BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC035N04LSGATMA1 por Infineon y BSC0993NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC035N04LSGATMA1 BSC0993NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TISON-8
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Mode — Enhancement
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

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