BSC035N04LSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC035N04LSGATMA1 par Infineon et BSC0993NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC035N04LSGATMA1 | BSC0993NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $1,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TISON-8 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Series | — | OptiMOS 5 30V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Array) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | — | 17 A |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |