BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC047N08NS3GATMA1 por Infineon y BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,46 | $0,66 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 27 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Recuento de pines | — | 8 |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Estado RoHS | — | Compliant |