BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC047N08NS3GATMA1 por Infineon e BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC047N08NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A 27 A
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
Contagem de pinos — 8
Temperatura de operação — -55 C to +175 C (junction)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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