BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC040N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC052N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C -55 C to +175 C
Encapsulado PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited) 1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

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